傑青、長江學者、南京大學陸海教授一行の我が社訪問を熱烈に歓迎します

2018年4月24日午後、南京大學陸海教授は會社の指導者の情熱的な接待と案內の下で武漢優沵星を訪問した。今回の訪問は學術上の交流検討であり、後期の深い協力のための基礎でもある。

各研究開発、生産、テスト、老朽化したオフィスエリアを見學する際、會社の指導者は現在生産、テスト、老朽化した製品について、生産工程、設計原理、応用シーンを含む異なる応用分野に基づいて詳細に紹介した。

見學後の交流討論會で、我が社の指導者は會社の製品の現在の業界発展狀況、競爭製品の狀況、我が社の製品の優位性、我が社の製品の業界位置づけと目標市場領域などについて詳細な分析を行い、會社の現在の製品開発管理プロセス「市場需要-> ;プロジェクト企畫-> ;設計審査-> ;材料調達-> ;製品試作-> ;新製品転産」について一つ一つ説明し、そして、會社が現在獲得している各資質栄譽について簡単に紹介した。陸海教授は、「一流に近い新製品の研究開発実力、完全な製品開発管理プロセスの規範化、市場の広い応用分野により、近い將來には必ず頭角を現し、業界のトップになることができる」と同社の現在の成果を高く評価した。これに対して、同社のリーダーは彼らの承認に感謝し、「私たちを信じてくれているお客様に最高の製品をお屆けすることが私たちの目標であり、私たちは引き続き努力して、市場のニーズに追いつき、UV-LED第1ブランドを構築しなければならない」と述べた

今回の陸海教授の訪問は雙雙の関係を密接にし、後期の深い協力のために基礎を築いた。

陸海教授は南京大學特別招聘教授で、南京微細構造國家実験室（計畫）主任研究員（PI）、國家傑出青年科學基金獲得者、長江學者特別招聘教授、萬人計畫専門家、國家重點研究開発計畫首席科學者を兼任している。主に広帯域禁止半導體材料とデバイスの研究に従事し、國際的な影響力のある複數の成果を収めた。ここ數年來、重點的にGaN基高出力電子デバイス、深紫外探査デバイス、及び新型酸化物透明薄膜トランジスタの研究を展開し、半導體基礎研究成果をデバイス応用分野に広めることに力を入れている：高破壊電圧GaNショットキー整流器、及び高利得GaN紫外雪崩光検出器を開発し、何度も國際主流の半導體技術メディアの追跡報道を獲得した、暗電流密度が最も低く、チップサイズが最も大きいAlGaN基日盲深紫外検出器を開発し、南京大學チームを率いて國內でまず高感度GaN基紫外検出器の産業化を実現した、國內ではまずSiC紫外線単一光子検出器を実現した。これまでに學術論文300余編が発表され、その中にはSCI論文230余編が含まれている。発表された文章はSCI他人から10000件以上引用された（2015年12月現在）、その代表的な仕事は、海外の同業者から総説記事で「Major breakthrough（重大な突破）」と呼ばれている。